Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP15N50E-GE3, 500 В, 9,2 А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 530 ₴
- В наявності
- Код: TM036808
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP15N50E-GE3, 500 В, 9,2 А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів Vishay SIHP15N50E-GE3 типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виводами (THT). Основні параметри: напруга дрена-джерела 500 В, струм дрена 9,2 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 9,2 А (імпульс 28 А)
- Розсіювана потужність: 156 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга дрена-джерела становить 500 В, а напруга затвор-джерело — ±30 В. Струм дрена в імпульсі становить 28 А.
Потужність та опір
Розсіювана потужність транзистора становить 156 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 0,28 Ом. Заряд затвора — 66 нКл.
Монтаж та корпус
Компоненти виконані в корпусі TO220AB для монтажу на поверхні з виводами (THT). Монтаж виконується методом THT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 156 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 530 ₴