Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP11N80AE-GE3, 800В, 5А, TO220AB (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів Vishay SIHP11N80AE-GE3 типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату (THT). Максимальна напруга стік-витік становить 800 В.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 800 В
• Струм стоку: 5 А (імпульсний до 22 А)
• Розсіювана потужність: 78 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Набір: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу стік-витік 800 В та постійний струм стоку 5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 22 А, а розсіювана потужність становить 78 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,45 Ом, що впливає на теплові втрати при роботі.

Особливості керування

Пристрій є уніполярним із каналом збагачення. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±30 В. Заряд затвора становить 42 нКл, що визначає швидкість перемикання та навантаження на керуючий вузол.

Комплектація

У пакуванні знаходиться 10 однакових транзисторів Vishay SIHP11N80AE-GE3. Комплект містить 10 ідентичних транзисторів.