Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP100N60E-GE3, 600В, 19А, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP100N60E-GE3 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, з максимальною напругою сток-исток 600 В. Комплект із 10 штук у корпусі TO220AB забезпечує надійне рішення для силових схем та промислового обладнання.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Постійний струм дрена: 19 А
• Імпульсний струм дрена: 73 А
• Розсіювана потужність: 208 Вт
• Опір у стані провідності: 0,1 Ом
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор витримує напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 19 А. Компонент підходить для застосування у силових ключах, інверторах та джерелах живлення.

Імпульсна потужність

Максимальний імпульсний струм дрена становить 73 А, а розсіювана потужність — 208 Вт. Характеристики дозволяють використовувати транзистор у схемах з імпульсними навантаженнями.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 0,1 Ом. Низький опір зменшує теплові втрати на транзисторі.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB із виводами для монтажу на плату (THT). Корпус TO220AB дозволяє монтувати транзистор на радіатор.

Комплектація

У комплекті поставляється 10 транзисторів Vishay SIHP100N60E-GE3. Комплект із 10 штук зручний для серійного виробництва або ремонту.