Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG20N50E-GE3, 500В, 12А, TO247AC (комплект 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG20N50E-GE3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247AC з виводами для монтажу на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Постійний струм стіка: 12 А (імпульсний: 42 А)
• Розсіювана потужність: 179 Вт
• Опір у відкритому стані: 184 мОм
• Корпус: TO247AC, монтаж THT
• Комплектація: 5 шт.

Напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 500 В та постійний струм стіка 12 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 42 А. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В, що визначає допустимі режими керування каналом.

Потужність та опір у відкритому стані

Максимальна розсіювана потужність становить 179 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла при роботі з високими навантаженнями. Опір у відкритому стані дорівнює 184 мОм, що впливає на теплові втрати при протіканні струму. Загальний заряд затвора — 92 нКл.

Корпус та комплектація

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO247AC з виводами для встановлення на поверхню друкованої плати (THT). Таке виконання забезпечує механічну міцність кріплення та зручність паяння. У комплекті поставляється 5 транзисторів, що зручно для серійного монтажу або заміни кількох елементів у схемі.