Транзистор N-MOSFET Vishay SIHD14N60E-GE3, 600В, 8А, DPAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHD14N60E-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до 600 В та струмом 8 А. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі DPAK (TO252) для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Струм стіка: 8 А (імпульсний до 32 А)
• Розсіювана потужність: 147 Вт
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Комплектація: набір із 10 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 8 А. У імпульсному режимі струм може досягати 32 А, а розсіювана потужність становить 147 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 309 мОм, що забезпечує ефективне проходження струму.

Керування затвором

Пристрій має напругу затвор-витік ±30 В та заряд затвора 64 нКл, що визначає вимоги до схеми керування та швидкість перемикання. Низький заряд затвора сприяє ефективному управлінню транзистором у силових ланцюгах.## Монтаж та корпусТранзистор виконаний у корпусі DPAK (TO252) для технології поверхневого монтажу SMD. Таке виконання дозволяє компактно розміщувати компонент на друкованих платах із високим ступенем інтеграції.## КомплектаціяТовар поставляється набором із 10 транзисторів. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, де потрібно кілька однакових компонентів.