Транзистор N-MOSFET Vishay SIHB22N60E-GE3, 600 В, 21 А, D2PAK (5 шт.)
2 180 ₴
- В наявності
- Код: TM036807
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHB22N60E-GE3, 600 В, 21 А, D2PAK (5 шт.)В наявності
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 польових транзисторів Vishay SIHB22N60E-GE3 типу N-MOSFET. Компоненти розраховані на напругу 600 В та струм 21 А, призначені для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі D2PAK (TO263).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 600 В
- Струм стоку: 21 А (імпульсний до 56 А)
- Потужність розсіювання: 227 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Комплектація: 5 шт.
Тип та канал
Компонент є уніполярним польовим транзистором типу N-MOSFET із каналом збагачення. Така структура визначає принцип роботи пристрою та його поведінку в електричному колі.
Напруга та струм
Максимальна напруга між стоком та витоком становить 600 В. Постійний струм стоку дорівнює 21 А, а в імпульсному режимі він може досягати 56 А. Напруга на затворі обмежена значенням ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 227 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 180 ₴