Транзистор N-MOSFET Vishay SIHB100N60E-GE3, 600В, 19А, D2PAK (5 шт.)

Набір із 5 потужних польових транзисторів N-MOSFET від виробника Vishay. Модель SIHB100N60E-GE3 призначена для роботи з напругою до 600 В та струмом 19 А у корпусі D2PAK (TO263).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-виток: 600 В
• Струм стоку: 19 А (імпульсний до 73 А)
• Потужність розсіювання: 208 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Комплектація: 5 штук

Тип та канал керування

Компонент є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Це означає, що транзистор закритий при нульовій напрузі на затворі та відкривається при подачі додатної напруги. Така полярність та тип каналу визначають схеми керування, в яких використовується цей компонент.

Напруга та струм

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 600 В, що дозволяє працювати в мережах підвищеної напруги. Постійний струм стоку дорівнює 19 А, а в імпульсному режимі він може досягати 73 А. Напруга на затворі обмежена значенням ±30 В.

Потужність та опір

Розсіювана потужність транзистора становить 208 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,1 Ом, що зменшує втрати енергії при відкритому каналі. Заряд затвора становить 50 нКл, що впливає на швидкість перемикання.