Транзистор N-MOSFET Vishay SIHA24N80AE-GE3, 800 В, 5 А, TO220FP (5 шт.)

Набір із 5 польових транзисторів N-MOSFET від бренду Vishay, модель SIHA24N80AE-GE3. Компоненти призначені для роботи з напругою до 800 В та струмом 5 А у корпусі TO220FP.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-виток: 800 В
• Струм стоку: 5 А (імпульсний до 51 А)
• Потужність розсіювання: 35 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри та опір

Транзистори є уніполярними N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 800 В, а номінальний струм стоку — 5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 51 А. Потужність розсіювання дорівнює 35 Вт. Опір у стані провідності становить 184 мОм, а заряд затвора — 89 нКл.

Напруга затвора

Максимальна напруга між затвором та витоком становить ±30 В.

Комплектація та монтаж

У пакеті постачається 5 транзисторів. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT), що є стандартним рішенням для друкованих плат з вивідними компонентами.