Транзистор N/P-MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, TrenchFET, 12В, 6.5Вт (комплект 30 шт.)
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM036806
Транзистор N/P-MOSFET Vishay SIA517DJ-T1-GE3, TrenchFET, 12В, 6.5Вт (комплект 30 шт.)В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 30 транзисторів Vishay SIA517DJ-T1-GE3 типу N/P-MOSFET. Пристрої виготовлені за технологією TrenchFET® у корпусі PowerPAK® SC70 для монтажу SMD.
- Тип: N/P-MOSFET з каналом, що збагачується
- Напруга дрена-джерела: 12/-12 В
- Струм дрена: 4,5/-4,5 А
- Розсіювана потужність: 6,5 Вт
- Опір у стані провідності: 170/65 мОм
- Корпус: PowerPAK® SC70 (монтаж SMD)
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають напругу дрена-джерела 12/-12 В та струм дрена 4,5/-4,5 А. Опір у стані провідності становить 170/65 мОм, а розсіювана потужність — 6,5 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±8 В.
Технологія TrenchFET®
Транзистори виготовлені за технологією TrenchFET®. Корпус PowerPAK® SC70 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакеті постачається 30 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 6.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SC70 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴