Транзистор N-MOSFET Vishay SIA440DJ-T1-GE3, 40В, 12А, PowerPAK SC70 (30 шт.)
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM077466
Транзистор N-MOSFET Vishay SIA440DJ-T1-GE3, 40В, 12А, PowerPAK SC70 (30 шт.)В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SIA440DJ-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний за технологією TrenchFET®. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі PowerPAK® SC70 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: 40 В
- Струм дрена: 12 А (імпульсний до 50 А)
- Опір у стані провідності: 26 мОм
- Корпус: PowerPAK® SC70 (SMD)
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 40 В та постійний струм дрена 12 А. Імпульсний струм дрена становить 50 А. Опір у стані провідності становить 26 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±12 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі PowerPAK® SC70, що призначений для технології поверхневого монтажу (SMD). Розсіювана потужність становить 12 Вт.
Технологія TrenchFET®
Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET®. Заряд затвора становить 21,5 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 12 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SC70 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴