Транзистор P-MOSFET VISHAY SI9933CDY-T1-GE3, комплект 30 шт., корпус SO8
2 630 ₴
- В наявності
- Код: TM020471
Транзистор P-MOSFET VISHAY SI9933CDY-T1-GE3, комплект 30 шт., корпус SO8В наявності
2 630 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 30 транзисторів VISHAY SI9933CDY-T1-GE3 — це подвійні P-MOSFET у корпусі SO8, призначені для монтажу на поверхню (SMD). Ці компоненти призначені для комутації струму в електронних пристроях.
- Комплект із 30 транзисторів
- Тип: подвійний P-MOSFET
- Корпус SO8 для SMD-монтажу
- Струм дренажу -4 А
- Напруга дренаж-виток -20 В
- Технологія TrenchFET®
Технологія TrenchFET®
Транзистори виготовлені за технологією TrenchFET®.
Електричні параметри
Кожен транзистор у комплекті має максимальну напругу дренаж-виток -20 В та струм дренажу -4 А. При імпульсному режимі струм може досягати -20 А. Потужність розсіювання становить 3,1 Вт, а опір у стані провідності — 94 мОм.
Зручність монтажу та комплектація
Компоненти постачаються у корпусі SO8, який є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Комплект містить 30 штук. Заряд затвора становить 26 нКл, а максимальна напруга затвор-виток — ±12 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 94 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 630 ₴