Транзистор N-MOSFET VISHAY SI9926CDY-T1-GE3, 20V, 6.7A, SO8 (набір 20 шт.)
3 230 ₴
- В наявності
- Код: TM020470
Дуальний N-канальний MOSFET-транзистор VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 у корпусі SO8. Максимальна напруга стік-витік становить 20 В. Пакет містить 20 одиниць компонентів для серійного монтажу.
- Дуальний N-MOSFET транзистор
- Напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 6,7 А
- Опір у відкритому стані: 22 мОм
- Корпус SO8, монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Низький опір та високий струм
Опір у відкритому стані 22 мОм зменшує втрати потужності та нагрівання компонента. Номінальний струм стоку 6,7 А підходить для стабільних навантажень. Імпульсний струм до 30 А дозволяє витримувати короткочасні пікові перевантаження в ланцюгах живлення.
Корпус SO8 та монтаж SMD
Корпус SO8 із монтажем SMD забезпечує компактність та щільну компоновку плат. Таке виконання спрощує автоматизований монтаж та економить місце на друкованій платі. Компонент є уніполярним, що спрощує схемотехніку керування.
Теплові характеристики
Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, що визначає допустимий тепловий режим. При проєктуванні схеми необхідно враховувати цей параметр для забезпечення надійної роботи. Обмеження по потужності впливає на вибір радіатора або способу відведення тепла.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
- Ціна: 3 230 ₴