Транзистор N-MOSFET VISHAY SI9926CDY-T1-E3, 20V, 6.7A, SO8 (SI9926CDY-E3) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET VISHAY SI9926CDY-T1-E3 — це подвійний польовий транзистор із каналом типу N, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для комутації в електронних схемах із живленням до 20 В. Комплект поставки включає 20 одиниць компонентів у корпусі SO8 для зручного монтажу.

• Подвійний N-MOSFET транзистор із технологією TrenchFET®
• Максимальна напруга стік-витік 20 В
• Струм стоку 6,7 А, імпульсний струм до 30 А
• Низький опір у відкритому стані 22 мОм
• Корпус SO8 для SMD монтажу
• Комплект із 20 транзисторів

Висока ефективність комутації

Завдяки технології TrenchFET® транзистор демонструє низький опір у відкритому стані — 22 мОм. Це зменшує нагрівання компонента під час роботи. Низький опір особливо важливий у схемах із частим перемиканням, де втрати енергії можуть бути значними.

Надійність у режимах навантаження

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 6,7 А та імпульсний струм до 30 А. Такий запас дозволяє використовувати компонент у схемах із короткочасними піковими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, що відповідає вимогам до компактних SMD-компонентів.

Електричні параметри та керування

Компонент виконаний у корпусі SO8 із технологією монтажу SMD, що забезпечує щільне розміщення на друкованих платах. У комплекті постачається 20 транзисторів. Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний. Максимальна напруга затвор-витік становить ±12 В, а заряд затвора — 33 нКл. Ці параметри визначають вимоги до драйвера затвора та швидкість перемикання транзистора в схемах керування.

Транзистор VISHAY SI9926CDY-T1-E3 є компонентом для електронних пристроїв із вимогами до компактності.