Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3 — це уніполярний компонент із технологією TrenchFET® у корпусі SO8 для SMD-монтажу. Комплект із 20 штук забезпечує стабільну роботу при напрузі -60 В та струмі -2,6 А, що робить його придатним для електронних проектів.

• Тип транзистора: P-MOSFET з технологією TrenchFET®
• Напруга дрена-джерела: -60 В
• Струм дрена: -2,6 А (в імпульсі до -20 А)
• Потужність розсіювання: 3,2 Вт
• Корпус: SO8 для SMD-монтажу
• Комплект: 20 штук

Стабільна робота при високих навантаженнях

Транзистор витримує напругу дрена-джерела до -60 В, що дозволяє використовувати його в схемах із підвищеною напругою. Струм дрена становить -2,6 А, а в імпульсному режимі може досягати -20 А, забезпечуючи надійне перемикання під час пікових навантажень. Потужність розсіювання становить 3,2 Вт.

Ефективне перемикання та низькі втрати

Завдяки технології TrenchFET® транзистор має заряд брами 22 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Опір у стані провідності 0,12 Ом визначає втрати потужності під час роботи. Напруга брама-джерело ±20 В задає допустимий діапазон керуючих сигналів.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект із 20 штук забезпечує запас елементів для складання або ремонту.

Транзистор Vishay SI9407BDY-T1-GE3 підходить інженерам та технікам, які потребують надійних P-MOSFET компонентів із вимогами до високої напруги та імпульсних струмів.