Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-E3, TrenchFET, -60В, -2,6А, SO8 (20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-E3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Комплект із 20 штук у корпусі SO8 призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях із напругою до -60 В.

• Тип: P-MOSFET з каналом збагачення
• Технологія: TrenchFET® для низького опору
• Корпус: SO8 для поверхневого монтажу (SMD)
• Максимальна напруга: -60 В
• Струм витоку: -2,6 А (постійний), -20 А (імпульсний)
• Комплектація: 20 штук

Ефективна комутація та керування

Транзистор працює як ключовий елемент у схемах керування живленням. Технологія TrenchFET® забезпечує опір у стані провідності 0,12 Ом.

Технічні параметри та надійність

Максимальна напруга між витоком та джерелом становить -60 В, а постійний струм витоку — -2,6 А. У імпульсному режимі транзистор витримує струм до -20 А. Потужність розсіювання обмежена 3,2 Вт, тому компонент потребує відповідного теплового режиму.

Комплектація та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 20 транзисторів. Напруга керування затвором становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 22 нКл.

Комплект транзисторів Vishay для електронних пристроїв.