Транзистор P-MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, SO8, -60В, -2,6А (SI9407BDY-E3) — набір 20 шт.
2 880 ₴
- В наявності
- Код: TM020466
P-канальний MOSFET-транзистор Vishay SI9407BDY-T1-GE3 у корпусі SO8 для SMD-монтажу. Пристрій розрахований на напругу -60 В та струм -2,6 А, що робить його придатним для комутаційних задач у електронних схемах.
- Тип: P-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: -60 В
- Струм дрена: -2,6 А (постійний), -20 А (імпульсний)
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технологія: TrenchFET®
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела -60 В та постійний струм дрена -2,6 А. Імпульсний струм може досягати -20 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Опір у стані провідності становить 0,12 Ом, що мінімізує втрати енергії при роботі.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SO8 із технологією монтажу SMD. Це забезпечує компактність вузла та зручність автоматизованого виробництва. Технологія TrenchFET® використовується для оптимізації характеристик каналу.
Електричні характеристики та потужність
Товар постачається набором із 20 штук. Така упаковка зручна для серійного виробництва або ремонту обладнання, де потрібно кілька однакових компонентів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
- Ціна: 2 880 ₴