Транзистор N-MOSFET VISHAY SI7938DP-T1-GE3, 40V, 60A, PowerPAK SO8 (10 шт.)
1 970 ₴
- В наявності
- Код: TM077442
Транзистор N-MOSFET VISHAY SI7938DP-T1-GE3, 40V, 60A, PowerPAK SO8 (10 шт.)В наявності
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET VISHAY SI7938DP-T1-GE3 — це комплект із 10 одиниць, що поєднує два польові транзистори в одному корпусі PowerPAK® SO8. Призначений для монтажу на поверхню (SMD).
- Комплект із 10 транзисторів
- Напруга стік-витік 40 В
- Струм стіка 60 А (імпульсний 80 А)
- Опір у відкритому стані 7 мОм
- Корпус PowerPAK® SO8 для SMD-монтажу
- Технологія TrenchFET®
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 40 В та постійний струм стіка 60 А. Імпульсний струм може досягати 80 А, а опір у відкритому стані становить 7 мОм. Максимальна розсіювана потужність — 46 Вт.
Технологія TrenchFET® та монтаж
Використовується технологія TrenchFET®. Корпус PowerPAK® SO8 дозволяє розмістити два N-MOSFET у компактному виконанні для SMD-монтажу. Поляризація транзистора — уніполярна, канал збагачуваний. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 65 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 46 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 970 ₴