Транзистор P-MOSFET Vishay SI7655ADN-T1-GE3, 20 шт., PowerPAK SO8

Транзистор P-MOSFET Vishay SI7655ADN-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі PowerPAK® SO8, що забезпечує компактне розміщення на друкованих платах.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: -20 В
• Струм стоку: -40 А (постійний), -100 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 3,6 мОм
• Розсіювана потужність: 36 Вт
• Корпус: PowerPAK® SO8, монтаж SMD
• Технологія: TrenchFET®
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Ефективне керування струмом

Транзистор працює з напругою стік-витік -20 В та постійним струмом стоку -40 А. У імпульсному режимі пристрій витримує струм до -100 А, що дозволяє використовувати його в силових ключах із високими піковими навантаженнями.

Низькі втрати потужності

Опір у відкритому стані становить 3,6 мОм, що мінімізує нагрівання компонента під час роботи. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 36 Вт, а заряд затвора — 225 нКл, що сприяє швидкому перемиканню та енергоефективності схеми.

Зручний монтаж SMD

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PowerPAK® SO8. Таке рішення економить місце на платі та спрощує автоматизоване виробництво електронних модулів.

Швидке перемикання та керування затвором

Заряд затвора становить 225 нКл, що забезпечує швидке перемикання транзистора та знижує втрати при комутації. Максимальна напруга затвор-витік ±12 В дозволяє використовувати стандартні драйвери керування без додаткових обмежувальних елементів. Ця характеристика важлива для імпульсних джерел живлення та DC-DC перетворювачів, де частота перемикання впливає на габарити дроселів та конденсаторів.