Транзистор P-MOSFET Vishay SI7615ADN-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор у корпусі PowerPAK® 1212-8 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип: P-MOSFET
- Потужність розсіювання: 33 Вт
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
- Монтаж: SMD
- Технологія: TrenchFET®
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні характеристики
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 33 Вт. Використовується технологія TrenchFET®. Корпус PowerPAK® 1212-8.
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴

