Транзистор N-MOSFET VISHAY SI7288DP-T1-GE3, 40V, 20A, комплект 20 шт.

Комплект із 20 транзисторів VISHAY SI7288DP-T1-GE3 — це подвійні N-MOSFET транзистори з технологією TrenchFET®, розраховані на напругу 40 В та струм 20 А. Вони призначені для електронних схем, де потрібна ефективна комутація та мінімальні втрати потужності.

• Комплект із 20 транзисторів
• Струм стоку 20 А
• Напруга стік-витік 40 В
• Опір у відкритому стані 22 мОм
• Корпус PowerPAK® SO8 (SMD)
• Технологія TrenchFET®

Ефективна комутація

Транзистори мають опір у відкритому стані 22 мОм, що забезпечує низькі втрати потужності під час роботи. Максимальний імпульсний струм становить 50 А, що дозволяє використовувати їх у схемах з високими піковими навантаженнями.

Компактний монтаж

Компоненти виконані у корпусі PowerPAK® SO8 з технологією монтажу SMD. Таке рішення дозволяє економити місце на друкованій платі та спрощує автоматизований монтаж. Компактні розміри критичні для сучасних компактних пристроїв.

Надійність та керування

Допустима напруга затвор-витік становить ±20 В. Заряд затвора становить 15 нКл. Розсіювана потужність 15,6 Вт визначає тепловий режим роботи компонента.

Комплектація

У комплекті поставляється 20 транзисторів. Кількість у наборі дозволяє створити кілька вузлів або мати запас компонентів.