
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7153DN-T1-GE3, 30 шт., PowerPAK 1212-8
2 610 ₴
- В наявності
- Код: TM020447
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7153DN-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, розроблений для ефективної комутації в електронних пристроях. Комплект складається з 30 одиниць у компактному корпусі PowerPAK® 1212-8, що забезпечує зручний монтаж на друкованих платах.
- Комплект із 30 транзисторів
- Корпус PowerPAK® 1212-8 для SMD монтажу
- Потужність розсіювання 52 Вт
- Струм дрена -18 А
- Напруга дрена-джерела -30 В
- Опір у стані провідності 15 мОм
Висока потужність розсіювання
Транзистор має потужність розсіювання 52 Вт, що дозволяє використовувати його в схемах із значними навантаженнями. Така характеристика важлива для стабілізації роботи пристроїв під час тривалих робочих циклів, запобігаючи перегріву компонентів.
Ефективна комутація струму
Пристрій працює з напругою дрена-джерела -30 В та постійним струмом дрена -18 А. Це робить його придатним для застосування в ланцюгах живлення та керування, де потрібна надійна комутація від'ємної напруги.
Компактний корпус та монтаж
Використання технології TrenchFET® та корпусу PowerPAK® 1212-8 забезпечує мінімальні габарити компонента. Метод монтажу SMD дозволяє розміщувати транзистори на щільно розташованих друкованих платах, економлячи простір у пристроях.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить 15 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи. Ця властивість критична для підвищення загального ККД електронних схем та збільшення терміну служби акумуляторів у портативних пристроях.
Надійна робота при високих навантаженнях
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 52 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технологія | TrenchFET® |
- Ціна: 2 610 ₴
