Транзистор P-MOSFET VISHAY SI4925DDY-T1-GE3, комплект 20 шт., корпус SO8

Комплект із 20 транзисторів VISHAY SI4925DDY-T1-GE3 типу P-MOSFET x2 у корпусі SO8. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із навантаженням до 5 Вт.

• Комплект із 20 транзисторів P-MOSFET x2
• Корпус SO8 для поверхневого монтажу (SMD)
• Технологія TrenchFET® для низького опору
• Розсіювана потужність 5 Вт
• Струм дрена -5,9 А, напруга -30 В
• Опір у відкритому стані 41 мОм

Подвійна структура та технологія TrenchFET®

Транзистор має подвійну структуру (P-MOSFET x2), що дозволяє оптимізувати простір на платі. Застосування технології TrenchFET® забезпечує низький опір у відкритому стані, який становить 41 мОм. Це зменшує нагрівання компонента під час роботи та підвищує ефективність пристрою.

Електричні параметри та потужність

Максимальна розсіювана потужність становить 5 Вт, що підходить для багатьох промислових та побутових застосувань. Стійкість до напруги дрена-джерела до -30 В та струму дрена до -5,9 А робить компонент універсальним для керування навантаженням. Заряд затвора 50 нКл впливає на швидкість перемикання, що важливо для імпульсних схем.

Полярність та тип каналу

Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Це означає, що для відкриття каналу потрібна напруга затвора, протилежна за полярністю до напруги дрена. Така конфігурація стандартна для P-MOSFET і забезпечує надійне керування в схемах із від'ємною напругою.