Транзистор N-MOSFET Vishay SI4686DY-T1-E3, 30 В, 14,5 А, SO8 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SI4686DY-T1-E3 — це польовий транзистор із каналом, що збагачується, у корпусі SO8. Пристрій розрахований на напругу 30 В та струм стоку 14,5 А.

• Тип: N-MOSFET з каналом, що збагачується
• Напруга стік-джерело: 30 В
• Струм стоку: 14,5 А (імпульсний до 50 А)
• Опір у відкритому стані: 14 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Технологія: TrenchFET®
• Набір: 30 шт.

Напруга та струм

Транзистор працює з напругою стік-джерело до 30 В та витримує імпульсний струм стоку до 50 А. Номінальний постійний струм становить 14,5 А, а опір у відкритому стані — 14 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а розсіювана потужність — 5,2 Вт.

Корпус та монтаж

Використано технологію TrenchFET®. Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі SO8. Заряд затвора становить 26 нКл.

Комплектація

Товар поставляється набором із 30 транзисторів.