Транзистор P-MOSFET Vishay SI4483ADY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM077436
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4483ADY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4483ADY-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8. Пакет містить 20 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET з каналом збагачення
- Технологія виготовлення: TrenchFET®
- Максимальна напруга дрена-джерела: -30 В
- Максимальний струм дрена: -15,4 А
- Потужність розсіювання: 3,8 Вт
- Опір у відкритому стані: 8,8 мОм
- Корпус та монтаж: SO8, SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -30 В та струм дрена -15,4 А. Це визначає межі його роботи в електричних колах.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 3,8 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 8,8 мОм, що впливає на теплові втрати при роботі.
Технологія та корпус
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴