Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3, 20 шт., SO8

Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Товар поставляється комплектом із 20 штук у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: -6,5 А (постійний), -50 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 35 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Комплект: 20 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -30 В та постійний струм дрена -6,5 А. У імпульсному режимі струм дрена може досягати -50 А. Опір у відкритому стані становить 35 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора — 50 нКл.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SO8, що призначений для технології поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів Vishay SI4435DDY-T1-GE3. Потужність розсіювання становить 3,2 Вт. Полярність транзистора — уніполярна.