Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-E3, SO8, -30V, -6,5A (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435DDY-T1-E3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8. Товар постачається набором із 20 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Технологія виготовлення: TrenchFET®
• Корпус: SO8, тип монтажу: SMD
• Максимальна напруга стік-витік: -30 В
• Постійний струм стіка: -6,5 А (імпульсний: -50 А)
• Розсіювана потужність: 3,2 Вт
• Опір у відкритому стані: 35 мОм
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Напруга та струм

Транзистор працює з напругою стік-витік до -30 В та постійним струмом стіка -6,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до -50 А. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 35 мОм, що забезпечує ефективне проходження струму.

Теплові характеристики та монтаж

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 3,2 Вт. Заряд затвора дорівнює 50 нКл. Компонент має поверхневий монтаж (SMD) у корпусі SO8, що дозволяє використовувати його в компактних пристроях із високою щільністю розміщення елементів.