Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403DDY-T1-GE3, SO8, 30 шт.
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM036795
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403DDY-T1-GE3, SO8, 30 шт.В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403DDY-T1-GE3 — це уніполярний компонент із технологією TrenchFET® у корпусі SO8 для SMD-монтажу. Комплект складається з 30 штук.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Напруга стік-витік: -20 В
- Струм стоку: -12,3 А
- Опір у відкритому стані: 14 мОм
- Комплектація: 30 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має максимальну напругу стік-витік -20 В та струм стоку -12,3 А. Опір у відкритому стані становить 14 мОм. Потужність розсіювання обмежена 3,2 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією TrenchFET®. Заряд затвора дорівнює 39 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±8 В. Канал збагачуваний. Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі SO8. Технологія виготовлення — TrenchFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴