Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403CDY-T1-GE3, 20 шт., SO8, TrenchFET
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM077433
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403CDY-T1-GE3, 20 шт., SO8, TrenchFETВ наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4403CDY-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Товар поставляється комплектом із 20 штук у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Технологія: TrenchFET®
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Напруга дрена-джерела: -20 В
- Струм дрена: -13,4 А (постійний), -40 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 5 Вт
- Опір у стані провідності: 25 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Основні параметри дрена
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -20 В та постійний струм дрена -13,4 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена становить -40 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 5 Вт.
Комплектація
Товар поставляється комплектом із 20 штук. Корпус SO8 та монтаж SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴