Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401DDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.
2 330 ₴
- В наявності
- Код: TM036794
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401DDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.В наявності
2 330 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401DDY-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8. Поставляється комплектом із 20 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET з каналом збагачення
- Технологія виготовлення: TrenchFET®
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Напруга дрена-джерела: -40 В
- Струм дрена: -16,1 А (постійний), -50 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 4 Вт
- Опір у стані провідності: 15 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -40 В та постійний струм дрена -16,1 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає -50 А. Максимальна розсіювана потужність становить 4 Вт.
Комплектація
Транзистор постачається комплектом із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Максимальна потужність розсіювання | 4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-висток | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
| Технологія | TrenchFET® |
| Тип транзизора | Польова |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 330 ₴