Транзистор N-MOSFET Vishay SI4174DY-T1-GE3, 30 В, 13,5 А, SO8 (набір 30 шт.)
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM077432
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4174DY-T1-GE3, 30 В, 13,5 А, SO8 (набір 30 шт.)В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Пристрій розрахований на напругу дрен-джерело 30 В та струм дрену 13,5 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрен-джерело: 30 В
- Струм дрену: 13,5 А
- Розсіювана потужність: 3,2 Вт
- Опір у стані провідності: 9,5 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технологія: TrenchFET®
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні характеристики
Транзистор використовує технологію TrenchFET®. Опір у стані провідності становить 9,5 мОм. Максимальна розсіювана потужність становить 3,2 Вт, а заряд затвора — 8 нКл. Напруга затвор-джерело може сягати ±20 В.
Комплектація
Товар постачається набором із 30 транзисторів. Монтаж здійснюється методом SMD (Surface Mount Device).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴