Транзистор N-MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3, 30В, 15,4А, SO8 (набір 20 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM077431
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3, 30В, 15,4А, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3 у корпусі SO8. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в схемах із напругою до 30 В.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 30 В
- Максимальний струм стоку: 15,4 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 7,9 мОм
- Кількість у наборі: 20 шт.
Технічні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30 В, а максимальний струм стоку — 15,4 А. Опір у відкритому стані дорівнює 7,9 мОм, що забезпечує ефективну роботу при високих навантаженнях.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SO8 із технологією монтажу SMD. Це дозволяє використовувати його в компактних пристроях із щільним розташуванням елементів на платі.
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів. Така кількість зручна для прототипування або серійного виробництва невеликих партій.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 15.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴