Транзистор N-MOSFET Vishay SI4134DY-T1-GE3, 30В, 11,2А, SO8 (набір 20 шт.)
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM077430
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4134DY-T1-GE3, 30В, 11,2А, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4134DY-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення та технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8. У комплекті поставляється 20 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 30 В
- Струм стоку: 11,2 А
- Опір у відкритому стані: 14 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30 В, а постійний струм стоку — 11,2 А. Опір у відкритому стані дорівнює 14 мОм, що забезпечує ефективне проходження струму. Напруга на затворі обмежена ±20 В.
Технологія TrenchFET®
Технологія TrenchFET® забезпечує ефективну роботу транзистора. Потужність розсіювання становить 3,2 Вт, а заряд затвора — 7,3 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴