Транзистор P-MOSFET Vishay SI3473CDV-T1-GE3, TrenchFET, SMD, 20 шт.
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM077428
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3473CDV-T1-GE3, TrenchFET, SMD, 20 шт.В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3473CDV-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SC74 (TSOP6). Пакет містить 20 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: -12 В
- Струм стоку: -8 А (постійний), -20 А (імпульсний)
- Опір у відкритому стані: 36 мОм
- Корпус: SC74 (TSOP6), монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік -12 В та постійним струмом стоку -8 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -20 А. Опір у відкритому стані становить 36 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±8 В.
Технологія та монтаж
Використання технології TrenchFET®. Корпус SC74 (TSOP6) та тип монтажу SMD. Розсіювана потужність становить 4,2 Вт, а заряд затвора — 65 нКл.
Комплектація
У комплекті постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 4.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴