Транзистор N-MOSFET Vishay SI3460DDV-T1-GE3, 20V, 7.9A, SMD (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SI3460DDV-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць у корпусі SC74 (TSOP6).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 20 В
• Струм дрена: 7,9 А (постійний), 20 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 28 мОм
• Корпус: SC74 (TSOP6), монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Технічні параметри та корпус

Компонент працює з напругою дрена-джерела до 20 В та постійним струмом дрена 7,9 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 20 А, а розсіювана потужність становить 1,7 Вт. Корпус SC74 (TSOP6) та технологія TrenchFET® забезпечують низький опір у відкритому стані (28 мОм).

Напруга та струм дрена

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 20 В. Постійний струм дрена становить 7,9 А, а в імпульсному режимі він може досягати 20 А. Максимальна розсіювана потужність компонента — 1,7 Вт.