Транзистор P-MOSFET Vishay SI3459BDV-T1-GE3, 3.3 Вт, набір 20 шт.
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM077427
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3459BDV-T1-GE3, 3.3 Вт, набір 20 шт.В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3459BDV-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом, що збагачується, та технологією TrenchFET®. Максимальна потужність розсіювання становить 3.3 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET з каналом, що збагачується
- Технологія TrenchFET®
- Максимальна потужність розсіювання: 3.3 Вт
- Корпус SC74 (TSOP6) для SMD-монтажу
- Набір із 20 транзисторів
Параметри та корпус
Компонент виготовлений за технологією TrenchFET®. Максимальна потужність розсіювання становить 3.3 Вт. Транзистор має уніполярну структуру та канал, що збагачується.
Монтаж та комплектація
Транзистор виконаний у корпусі SC74 (TSOP6) для поверхневого монтажу (SMD).
У комплект поставки входить 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 288 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴