Транзистор P-MOSFET Vishay SI3421DV-T1-GE3, 30 шт., корпус TSOP6

Транзистор P-MOSFET Vishay SI3421DV-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Товар поставляється комплектом із 30 штук у корпусі SC74 (TSOP6) для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: -8 А (постійний), -50 А (імпульсний)
• Опір у стані провідності: 19,2 мОм
• Корпус: SC74 (TSOP6), монтаж SMD
• Комплект: 30 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -30 В та постійний струм дрена -8 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає -50 А. Опір у стані провідності становить 19,2 мОм, що забезпечує ефективне перемикання з мінімальними втратами.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі SC74, також відомому як TSOP6, що дозволяє економити місце на платі. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що є стандартом для сучасної електроніки. Максимальна розсіювана потужність становить 2,7 Вт.

Комплектація

Розсіювана потужність компонента становить 2,7 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Напруга на затворі-джерелі може досягати ±20 В. Загальний заряд затвора дорівнює 69 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора в схемах керування.