Транзистор P-MOSFET Vishay SI2369DS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SI2369DS-T1-GE3 — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: -7,6 А (у імпульсі -80 А)
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 29 мОм
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела -30 В та струм дрена -7,6 А. У імпульсному режимі струм може досягати -80 А. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт, а опір у відкритому стані — 29 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, призначеному для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

У пакеті постачається 30 транзисторів. Транзистор має заряд затвора 36 нКл та напругу затвор-джерело ±20 В. Канал збагачуваний, що визначає режим роботи компонента.