P-MOSFET транзистор Vishay SI2343CDS-T1-GE3 у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню. Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -30 В
- Струм стоку: -5,9 А
- Імпульсний струм: -25 А
- Розсіювана потужність: 1,6 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має канал збагачення та витримує напругу між стоком і виходом до -30 В. Струм стоку становить -5,9 А, а імпульсний струм досягає -25 А. Опір у відкритому стані дорівнює 45 мОм.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SOT23 із технологією монтажу SMD. Таке рішення дозволяє розміщувати транзистор на поверхні плати без свердління отворів. Заряд затвора становить 21 нКл, а допустима напруга затвор-виток — ±20 В.
Комплектація та потужність
У наборі постачається 30 транзисторів. Розсіювана потужність компонента становить 1,6 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 300 ₴

