Транзистор N-MOSFET Vishay SI2342DS-T1-GE3, 8 В, 6 А, SOT23 (набір 30 шт.)

Набір із 30 транзисторів N-MOSFET від бренду Vishay, модель SI2342DS-T1-GE3. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23 та мають максимальну напругу стік-джерело 8 В.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-джерело: 8 В
• Струм стоку: 6 А, імпульсний струм: 30 А
• Корпус: SOT23, монтаж: SMD
• Розсіювана потужність: 1,6 Вт
• Опір у стані провідності: 17 мОм
• Кількість у наборі: 30 шт.

Тип та канал керування

Компонент є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення типу. Це означає, що для відкриття каналу необхідна додатна напруга на затворі відносно витоку. Напруга затвор-джерело обмежена ±5 В, що визначає допустимий режим керування.

Струмові характеристики

Максимальний постійний струм стоку становить 6 А. Імпульсний струм стоку може досягати 30 А, що дозволяє працювати з короткочасними піковими навантаженнями. Напруга стік-джерело обмежена 8 В.

Потужність та опір у відкритому стані

Розсіювана потужність компонента дорівнює 1,6 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 17 мОм, що впливає на теплові втрати при роботі з навантаженням. Заряд затвора — 15,8 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.