Транзистор N-MOSFET Vishay SI2338DS-T1-GE3, 30В, 6А, SOT23 (набір 30 шт.)

Набір із 30 транзисторів N-MOSFET від бренду Vishay, модель SI2338DS-T1-GE3. Компоненти у корпусі SOT23 призначені для поверхневого монтажу (SMD) та розраховані на струм до 6 А та напругу 30 В.

• Набір із 30 транзисторів N-MOSFET
• Корпус SOT23 для SMD монтажу
• Струм стоку 6 А, імпульсний 25 А
• Напруга стік-виток 30 В
• Опір у стані провідності 28 мОм
• Розсіювана потужність 1,6 Вт

Тип та канал керування

Компонент є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Це означає, що транзистор відкритий лише при наявності напруги на затворі. Така структура забезпечує просте керування та стабільну роботу в ключових режимах.

Напруга та струм

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30 В, а напруга на затворі допускається в межах ±20 В. Постійний струм стоку дорівнює 6 А, тоді як у імпульсному режимі він може досягати 25 А. Ці параметри визначають межі безпечної експлуатації компонента.

Потужність та опір

Розсіювана потужність компонента дорівнює 1,6 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 28 мОм, що мінімізує втрати енергії при відкритому транзисторі. Заряд затвора (Qg) — 13 нКл, що впливає на швидкість перемикання.