Транзистор P-MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-GE3 — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу SMD. Комплект складається з 30 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту плат. Символ виробника SI2333CDS-T1-GE3 гарантує ідентичність компоненту.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -12 В
• Струм дрена: -5,7 А (у імпульсі -20 А)
• Потужність розсіювання: 2,5 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела -12 В та струм дрена -5,7 А. У імпульсному режимі струм дрена може досягати -20 А. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт, а заряд затвора — 25 нКл. Ці параметри визначають можливості транзистора у схемах комутації.

Опір та керування

Опір у провідному стані дорівнює 35 мОм, що забезпечує ефективну роботу. Напруга затвор-джерело становить ±8 В. Канал збагачуваний, що відповідає стандартним схемам керування P-MOSFET. Низький опір зменшує нагрівання при роботі.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє економити місце на друкованій платі та спрощує автоматизований монтаж. Такий формат підходить для компактних пристроїв та серійного виробництва.