Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DS-T1-GE3 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Пакет містить 30 одиниць.

• Тип: P-MOSFET з каналом збагачення
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напруга дрена-джерела: -40 В
• Струм дрена: -2,4 А (постійний), -12 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 0,13 Ом
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -40 В та постійний струм дрена -2,4 А. У імпульсному режимі струм може досягати -12 А.

Опір та потужність

Опір у відкритому стані становить 0,13 Ом, що зменшує нагрівання при роботі. Максимальна розсіювана потужність — 0,8 Вт.

Керування та технологія

Компонент виготовлений за технологією TrenchFET®. Напруга керування затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 17 нКл, що впливає на швидкість перемикання та енергоспоживання драйвера. У комплекті постачається 30 транзисторів у корпусі SOT23 для зручного монтажу на друковані плати.