Транзистор N-MOSFET Vishay SI2318CDS-T1-GE3, 40V, 4.5A, SOT23 (комплект 40 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM077419
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2318CDS-T1-GE3, 40V, 4.5A, SOT23 (комплект 40 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 40 польових транзисторів N-MOSFET від бренду Vishay, модель SI2318CDS-T1-GE3. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23, розраховані на напругу до 40 В та струм до 4,5 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 40 В
- Струм стоку: 4,5 А
- Потужність розсіювання: 1,3 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення типу. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 40 В, а максимальний струм стоку — 4,5 А. Потужність розсіювання обмежена 1,3 Вт. Напруга затвор-виток становить ±20 В.
Монтаж та корпус
Компоненти виконані у стандартному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Опір у відкритому стані становить 35 мОм, що впливає на втрати при проходженні струму.
Комплектація
У наборі постачається 40 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴