Транзистор P-MOSFET Vishay SI2307CDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM077417
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2307CDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2307CDS-T1-GE3 у корпусі SOT23 призначений для монтажу на поверхню плати (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальна напруга стік-витік: -30 В
- Струм стоку: -2,2 А
- Розсіювана потужність: 1,8 Вт
- Опір у відкритому стані: 138 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік -30 В та струм стоку -2,2 А. Опір у відкритому стані становить 138 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а заряд затвора — 6,2 нКл.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Потужність та тип каналу
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 1,8 Вт. Це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення, який відкривається при поданні відповідної напруги на затвор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 138 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴