
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2306BDS-T1-E3, 30В, 3,5А, SOT23 (набір 30 шт.)
2 300 ₴
- В наявності
- Код: TM077416
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2306BDS-T1-E3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 30 В
- Постійний струм стоку: 3,5 А (імпульсний до 20 А)
- Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
- Опір у відкритому стані: 65 мОм
- Комплект: 30 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 30 В та постійний струм стоку 3,5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 20 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,25 Вт, а опір у відкритому стані — 65 мОм.
Керування та монтаж
Компонент має напругу керування затвором ±20 В та заряд затвора 4,5 нКл, що визначає швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Монтаж виконується за технологією SMD у стандартному корпусі SOT23.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 300 ₴
