Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Vishay SI2306BDS-T1-E3, 30В, 3,5А, SOT23 (набір 30 шт.)

2 300 ₴

  • В наявності
  • Код: TM077416
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2306BDS-T1-E3, 30В, 3,5А, SOT23 (набір 30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2306BDS-T1-E3, 30В, 3,5А, SOT23 (набір 30 шт.)В наявності
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Vishay SI2306BDS-T1-E3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Комплект складається з 30 одиниць.

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга стік-виток: 30 В
  • Постійний струм стоку: 3,5 А (імпульсний до 20 А)
  • Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
  • Опір у відкритому стані: 65 мОм
  • Комплект: 30 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 30 В та постійний струм стоку 3,5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 20 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,25 Вт, а опір у відкритому стані — 65 мОм.

Керування та монтаж

Компонент має напругу керування затвором ±20 В та заряд затвора 4,5 нКл, що визначає швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Монтаж виконується за технологією SMD у стандартному корпусі SOT23.

Характеристики
Основні
ВиробникVishay Intertechnology
Максимальна потужність розсіювання1.25 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік30 В
Максимально допустимий струм стоку3.5 А
Опір у відкритому стані (Rds)65 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусSOT23
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 300 ₴