Транзистор N-MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3, SOT23, 20В, 2,1А (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23. Комплект складається з 40 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 20 В
• Струм стоку: 2,1 А
• Розсіювана потужність: 0,46 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 57 мОм
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор розрахований на напругу стік-витік 20 В та струм стоку 2,1 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,46 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 57 мОм, що забезпечує ефективну роботу в комутаційних схемах.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, що дозволяє використовувати його для поверхневого монтажу (SMD).

Параметри керування затвором

Заряд затвора становить 3,5 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±8 В. Ці параметри визначають вимоги до драйвера затвора та швидкість перемикання транзистора.