Транзистор N-MOSFET Vishay SI2302CDS-T1-GE3, SOT23, 20V, 2,1A (комплект 30 шт.)
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM077414
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2302CDS-T1-GE3, SOT23, 20V, 2,1A (комплект 30 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2302CDS-T1-GE3 — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальна напруга дрена-джерела: 20 В
- Максимальний струм дрена: 2,1 А
- Розсіювана потужність: 0,46 Вт
- Опір у стані провідності: 57 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні параметри
Транзистор має канал збагачення та працює з напругою дрена-джерела до 20 В. Максимальний струм дрена становить 2,1 А, а розсіювана потужність — 0,46 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 57 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело становить ±8 В, а заряд затвору — 3,5 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.46 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 57 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴