Транзистор N-MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3, 30В, 3,6А, SOT23 (40 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM036789
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3, 30В, 3,6А, SOT23 (40 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2300DS-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 40 одиниць у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-джерело: 30 В
- Струм стіка: 3,6 А (постійний), 15 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 1,1 Вт
- Опір у відкритому стані: 68 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектація: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 30 В та постійний струм стіка 3,6 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 15 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,1 Вт, а опір у відкритому стані — 68 мОм.
Керування та монтаж
Компонент має заряд затвора 10 нКл. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±12 В. Корпус SOT23 та тип монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 68 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴