Транзистор N-MOSFET Vishay SI1442DH-T1-GE3, 12В, 4А, SMD, набір 40 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SI1442DH-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій виконаний у корпусі SC70-6 (SOT363) та реалізує технологію TrenchFET®, що забезпечує низький опір у відкритому стані.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга витоку-джерела: 12 В
• Струм витоку: 4 А (імпульсний 20 А)
• Опір у відкритому стані: 30 мОм
• Корпус: SC70-6 (SOT363), монтаж SMD
• Набір: 40 штук

Електричні параметри

Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 12 В, а постійний струм витоку — 4 А. У імпульсному режимі пристрій витримує струм до 20 А. Опір у стані провідності дорівнює 30 мОм, що мінімізує втрати потужності під час роботи. Максимальна розсіювана потужність обмежена значенням 2,8 Вт.

Керування та корпус

Транзистор має вхідну ємність у вигляді заряду затвора 33 нКл. Допустима напруга між затвором та витоком становить ±8 В. Компактний корпус SC70-6 (SOT363) дозволяє економити місце на друкованій платі завдяки технології монтажу SMD.

Комплектація

Товар постачається набором із 40 штук,.