Транзистор N-MOSFET Vishay SI1302DL-T1-GE3, 30В, 0,48А, SOT323, набір 50 шт.
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM077410
Транзистор N-MOSFET Vishay SI1302DL-T1-GE3, 30В, 0,48А, SOT323, набір 50 шт.В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 50 транзисторів N-MOSFET від Vishay (модель SI1302DL-T1-GE3) у корпусі SOT323. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та мають максимальну напругу стік-джерело 30 В.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-джерело: 30 В
- Струм стіка: 0,48 А (імпульсний до 1,5 А)
- Розсіювана потужність: 0,18 Вт
- Корпус: SC70/SOT323, монтаж SMD
- Набір: 50 штук
Тип транзистора та канал
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга стік-джерело становить 30 В.
Напруга та струм
Напруга затвор-джерело допускає значення ±20 В. Номінальний струм стіка становить 0,48 А, а імпульсний струм може досягати 1,5 А. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 0,48 Ом.
Потужність та заряд затвора
Компоненти виконані у компактному корпусі SC70/SOT323. Компоненти виконані у компактному корпусі SC70/SOT323 для монтажу на поверхню (SMD). Максимальна розсіювана потужність — 0,18 Вт. Заряд затвора (Qg) становить 1,4 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.18 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.48 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 480 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴